簡要描述:CIF 推出 RIE 反應離子刻蝕機,采用 RIE 反應離子誘導激發(fā)方式,實現(xiàn)對材料表面各向異性的微結構刻蝕。特別適合于大學、科研院所,微電子、半導體企業(yè)實驗室進行介質刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價比高,易維護,處理快速高效。RIE反應離子刻蝕機適用于所有的基材及復雜的幾何構形進行 RIE 反應離子刻蝕。
產(chǎn)品分類
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品牌 | CIF |
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RIE反應離子刻蝕機主要用于微電子芯片、太陽能電池、生物芯片、顯示器、光學、通訊等領域的器件研發(fā)和制造。
產(chǎn)品特點
◆ 7 寸彩色觸摸屏中英文互動操作界面,自動控制監(jiān)測工藝參數(shù)狀態(tài),20 個配方程序,工藝數(shù)據(jù)可存儲追溯。
◆ PLC 工控機控制整個清洗過程,手動、自動兩種工作模式。
◆ 真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用 316 不銹鋼材質,耐腐蝕無污染。
◆ 采用防腐數(shù)字流量計, 實現(xiàn)對氣體輸入精準控制。標配雙路氣體輸送系統(tǒng), 可選多氣路氣體輸送系統(tǒng), 可輸入氧氣、氬氣、 氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。
◆ 采用花灑式多孔進氣方式,改變單孔進氣不均勻問題。
◆ HEPA 高效過濾,氣體返填吹掃,防止二次污染。
◆ 符合人體功能學的 60 度傾角操作界面設計,操作方便,界面友好。
◆ 采用頂置真空艙,上開蓋設計,下壓式鉸鏈開關方式。
◆ 上置式 360 度水平取放樣品設計,符合人體功能學,操作更方便。
◆ 有效處理面積大,可處理最大直徑 154mm 晶元硅片。
◆ 安全保護,艙門打開,自動關閉電源,機器運行、停止提示。
技術參數(shù)
型號 | RIE200 | RIE200plus |
艙體內尺寸 | H38xΦ260mm | H38xΦ260mm |
艙體容積 | 2L | 2L |
射頻電源 | 40KHz | 13.56MHz |
電極 | 不銹鋼氣浴 RIE 電極, Φ200mm | 不銹鋼氣浴 RIE 電極, Φ200mm |
匹配器 | 自動匹配 | 自動匹配 |
刻蝕方式 | RIE | RIE |
射頻功率 | 0-600W 可調(可選 0-1000W) | 0-300W 可調(可選 0-600W) |
氣體控制 | 質量流量計(MFC)(標配雙路,可選多路)流量范圍 0-500SCCM(可調) | |
工藝氣體 | Ar、N ?、O ?、H ?、CF4、CF4+ H2、CHF3 或其他混合氣體等(可選) | |
最大處理尺寸 | Φ154mm | |
產(chǎn)品尺寸 | L520xW600xH420mm | |
包裝尺寸 | L700xW580xH490mm | |
時間設定 | 9999 秒 | |
真空泵 | 抽速約 8m3/h | |
氣體穩(wěn)定時間 | 1 分鐘 | |
極限真空 | ≤1Pa | |
電源 | AC220V 50-60Hz,802(1202)502(802)W 所有配線符合《低壓配電設計規(guī)范 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設計規(guī)范》等國標標準相關規(guī)定。 | |
整機重量 | 38kg |
備注: 可選:1、冷卻循環(huán)水器:溫度控制范圍 -20-100℃;
2、分子泵:分子泵抽速 85L/s(N2)極限真空:LF<8*10-6Pa,CF<8*10-7Pa。
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